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Mosfet du canal P

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Les transistors à effet de champ (MOS) à oxyde métallique peuvent être divisés en canal N et canal P. Les transistors à effet de champ MOS en silicium à canal P ont deux régions P + sur le substrat en silicium de type N, appelées source et Le drain n'est pas conducteur entre les deux pôles, et lorsqu'une tension positive suffisante (masse de la grille) est appliquée au source, la surface du silicium de type N sous la grille présente une couche d’inversion de type P, qui devient un canal reliant la source et le drain. . Changer la tension de grille change la densité des trous dans le canal, modifiant ainsi la résistance du canal. Un tel transistor à effet de champ MOS est appelé transistor à effet de champ du type à amélioration du canal P. Si la surface du substrat de silicium de type N est exempte de tension de grille, le canal de couche d'inversion de type P existe déjà et la tension de polarisation appropriée peut augmenter ou diminuer la résistance du canal. Un tel transistor à effet de champ MOS est appelé transistor à effet de champ à déplétion à canal P. Ils sont collectivement appelés transistors PMOS.
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