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20V 4A SOT-23 P-MOS
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20V 4A SOT-23 P-MOS

    Type de paiement: T/T
    Incoterm: FOB
    Quantité de commande minimum: 10 Roll
    Délai de livraison: 20 jours

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Informations de base

Modèle: ATM2301APSA

Certification: RoHS, CE, ISO

Forme: Autre

Type de blindage: Autre

Méthode de refroidissement: Tube naturellement refroidi

Fonction: Switch Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planaire

Structure d'encapsulation: Transistor à puce

Niveau d'énergie: Petite puissance

Matériel: Silicium

Additional Info

Détails d'emballage: T / R

productivité: 2KK/M

marque: Agertech

transport: Ocean

Lieu d'origine: Chine

Capacité d'approvisionnement: formal

Certificats : ISO9001,ISO16949,ISO14001,ISO18001,QC080000

Code SH: 8541100000

Hafen: Shenzhen Shekou

Description du produit

ATM2301APSA est un transistor à effet de champ en mode amélioration avec canal P dans le boîtier SOT23. La tension drain-source: -20V et le courant de drain: -4A. La principale caractéristique de l’ ATM2301APSA est le MOSFE de puissance de tranchée, une excellente charge RDS (on) et une charge de grille faible, R DS (ON) <90 mΩ (V GS = -4,5V) et R DS (ON) <110 mΩ (V GS = -2,5 V) L'application principale est le convertisseur CC / CC, le commutateur de charge pour appareils portables, le commutateur de batterie.


Valeurs maximales absolues (Ta = 25 sauf indication contraire)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

VDS

-20

V

Gate-Source Voltage

VGS

±12

V

Continuous Drain Current

ID

-4

A

Pulsed Drain Current

IDM

-16

A

Power Dissipation

PD

0.83

W

Thermal Resistance from Junction to Ambient

RθJA

357

/W

Junction Temperature

TJ

150

Storage Temperature

TSTG

-55~ +150


Caractéristiques électriques (T A = 25 o C, sauf indication contraire c'est noté)

Parameter

Symbol

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

Unit

Static Characteristics

Drain-source breakdown voltage

V(BR)DSS

VGS = 0V, ID =-250µA

-20



V

Zero gate voltage drain current

IDSS

VDS  =-16V,VGS  = 0V



-1

µA

Gate-body leakage current

IGSS

VGS  =±12V, VDS  = 0V



±100

nA

Gate threshold voltage

VGS(th)

VDS =VGS, ID =-250µA

-0.5

-0.7

-1

V

Drain-source on-resistance1)

RDS(on)

VGS = -4.5V, ID = -0.5A


70

90

mΩ

VGS  = -2.5V, ID = -0.5A


90

110

Forward transconductance1)

gFS

VDS  =-5V, ID =-2A

5



S

Dynamic characteristics2)

Input Capacitance

Ciss

 

VDS  =-10V,VGS  =0V,f =1MHz


405


pF

Output Capacitance

Coss


75


Reverse Transfer Capacitance

Crss


55


Gate resistance

Rg

f =1MHz


6


Total Gate Charge

Qg

 

VDS =-10V,VGS =-2.5V,ID=-3A


3.3

12

nC

Gate-Source Charge

Qgs


0.7


Gate-Drain Charge

Qgd


1.3


Turn-on delay time

td(on)

 

VDD=-10V,VGEN=-4.5V,ID=-1A RL=10Ω,RGEN=1Ω


11


ns

Turn-on rise time

tr


35


Turn-off delay time

td(off)


30


Turn-off fall time

tf


10


Source-Drain Diode characteristics

Diode Forward voltage

VDS

VGS  =0V, IS=-1.25A


-0.7

-1.3

V



Remarques:

1) Test d' impulsion : largeur d'impulsion <300µs, cycle de service ≤2%.

2) Garanti par la conception, non soumis à la production essai.

Field Effect Transistor






Groupes de Produits : Mosfet du canal P

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