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Redresseur-barrière Schottky pour montage en surface 1A 20V
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Redresseur-barrière Schottky pour montage en surface 1A 20V

    Type de paiement: T/T
    Incoterm: FOB
    Quantité de commande minimum: 10 Roll
    Délai de livraison: 20 jours

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Informations de base

Modèle: 1N5817W-AT

Structure d'encapsulation: Autre

Application: Produits électroniques

Certification: RoHS, CE, ISO

Intensité lumineuse: la norme

Couleur: Autre

Structure: Planaire

Matériel: Silicium

Additional Info

Détails d'emballage: T / R

productivité: 10KK/M

marque: Agertech

transport: Ocean

Lieu d'origine: Chine

Capacité d'approvisionnement: formal

Certificats : ISO9001,ISO16949,ISO14001,ISO18001,QC080000

Code SH: 8541100000

Hafen: Shenzhen Shekou

Description du produit

Le 1N5817W-AT est un tube de redresseur Schottky 1A 20V classique, emballé dans du plastique SOD123FL. La structure et les caractéristiques de la diode Schottky le rendent approprié pour le redressement à haute fréquence en basse tension, sortie de courant élevé, etc. à haute fréquence. Pour la détection et le mélange, les diodes Schottky sont utilisées en tant que pinces dans les circuits logiques à grande vitesse. Les diodes Schottky sont également couramment utilisées dans les circuits intégrés et sont également largement utilisées dans les ordinateurs à grande vitesse.


Cotes et caractéristiques maximales absolues

Valeurs nominales à 25 de la température ambiante, sauf indication contraire, charge monophasée, demi-onde, résistive ou inductive. Pour une charge capacitive, réduire de 20%

Parameter

Symbols

1N5817W-AT

1N5818W-AT

1N5819W -AT

Units

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

VRRM

20

30

40

V

Maximum RMS Voltage

VRMS

14

21

28

V

Maximum DC Blocking Voltage

VDC

20

30

40

V

Maximum Average Forward Rectified Current

IF(AV)

1

A

Peak Forward Surge Current 8.3 ms Single Half Sine Wave

Superimposed on Rated Load(JEDEC methode)

IFSM

25

A

Maximum Instantaneous Forward Voltage           at IF = 1 A

at IF = 3 A

VF

0.45

0.75

0.55

0.875

0.6

0.9

 

V

Maximum Instantaneous Reverse Current        at TA = 25

Rated DC Blocking Voltage 1)                                TA = 100

IR

0.5

10

mA

Typical Junction Capacitance 2)

CJ

110

pF

Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient 3)

RθJA

75

/W

Operating Junction Temperature Range

Tj

- 55 to + 125

Storage Temperature Range

Tstg

- 55 to + 150

1) Test d'impulsion: largeur d'impulsion de 300 µs, rapport cyclique de 1%

2) Mearsuré à 1 MHz et tension inverse de 4 V

3) Jonction de résistance thermique à des patins en cuivre de 0,24 "x 0,24" (6 x 6 mm) ambiants à chaque borne


1N5817 SOD123FL Schottky Rectifier




Groupes de Produits : Diode de Schottky

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